一种电流孔径垂直电子晶体管外延结构
基本信息
| 申请号 | CN201922200106.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN211017086U | 公开（公告）日 | 2020-07-14 |
| 申请公布号 | CN211017086U | 申请公布日 | 2020-07-14 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I | 分类 | - |
| 发明人 | 左万胜;钮应喜;程海英;钟敏;郗修臻;张晓洪;刘锦锦;刘洋;史田超 | 申请（专利权）人 | 启迪微电子（芜湖）有限公司 |
| 代理机构 | 芜湖安汇知识产权代理有限公司 | 代理人 | 启迪新材料（芜湖）有限公司;芜湖启迪半导体有限公司 |
| 地址 | 241000安徽省芜湖市弋江区高新技术产业开发区服务外包产业园3号楼18层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开了一种电流孔径垂直电子晶体管外延结构，所述电流孔径垂直电子晶体管外延结构由下至上依次包括：GaN自支撑衬底或硅基衬底、n型掺杂GaN漂移层A、多周期GaN/AlGaN隧穿层、n型掺杂GaN漂移层B、导通孔径层、GaN沟道层；并且在所述导通孔径层的两侧还分别设有电流阻挡层；通过在漂移区内插入多周期GaN/AlGaN隧穿层，通过调控多周期的周期数、多周期内的GaN与AlGaN的厚度及Al组分，提高器件的耐压特性，通过隧穿效应显著缓解器件击穿电压与导通电阻之间的矛盾，改善器件的稳定性和可靠性。 |
