一种电流孔径垂直电子晶体管外延结构及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201911260778.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110797409A | 公开（公告）日 | 2020-02-14 |
| 申请公布号 | CN110797409A | 申请公布日 | 2020-02-14 |
| 分类号 | H01L29/78;H01L21/335;H01L29/06 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 左万胜;钮应喜;程海英;钟敏;郗修臻;张晓洪;刘锦锦;刘洋;史田超 | 申请（专利权）人 | 启迪微电子（芜湖）有限公司 |
| 代理机构 | 芜湖安汇知识产权代理有限公司 | 代理人 | 启迪新材料（芜湖）有限公司;芜湖启迪半导体有限公司 |
| 地址 | 241000 安徽省芜湖市弋江区高新技术产业开发区服务外包产业园3号楼18层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种电流孔径垂直电子晶体管外延结构及其制备方法，所述电流孔径垂直电子晶体管外延结构由下至上依次包括：GaN自支撑衬底或硅基衬底、低掺杂n型GaN漂移层A、多周期GaN/AlxGa1‑xN隧穿层，其中0 |
