一种P型SiC外延及其生长方法
基本信息
| 申请号 | CN202010095671.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111293037A | 公开（公告）日 | 2020-06-16 |
| 申请公布号 | CN111293037A | 申请公布日 | 2020-06-16 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I | 分类 | - |
| 发明人 | 左万胜;钮应喜;刘锦锦;张晓洪;袁松;史天超;史文华;钟敏 | 申请（专利权）人 | 启迪微电子（芜湖）有限公司 |
| 代理机构 | 芜湖安汇知识产权代理有限公司 | 代理人 | 启迪新材料（芜湖）有限公司;芜湖启迪半导体有限公司 |
| 地址 | 241000安徽省芜湖市弋江区高新技术产业开发区服务外包产业园3号楼18层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种P型SiC外延及其生长方法，在P型外延层生长时使用铟源作为外延反应腔气体，提高Al并入晶格的几率，增加P型掺杂浓度和掺杂效率，同时In原子半径较大，In‑C键较长，在H2这种还原性气氛条件下其不能并入SiC晶格中，不会使晶格产生畸变。通过这种方法制备得到的P型SiC外延晶片在具备厚外延的同时，具有较低的导通电阻。 |
