等离子体增强化学气相沉积系统
基本信息
| 申请号 | CN201920994978.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN210458364U | 公开（公告）日 | 2020-05-05 |
| 申请公布号 | CN210458364U | 申请公布日 | 2020-05-05 |
| 分类号 | C23C16/50 | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 王家平;霍冬冬 | 申请（专利权）人 | 英特尔半导体（大连）有限公司 |
| 代理机构 | 北京永新同创知识产权代理有限公司 | 代理人 | 英特尔半导体（大连）有限公司;英特尔公司 |
| 地址 | 116000 辽宁省大连市经济技术开发区淮河东路 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型提供一种等离子体增强化学气相沉积系统(1),包括：基片能够在其中被沉积薄膜的沉积室(3)，在所述沉积室(3)包括至少一个沉积工位；设置在所述沉积室(3)一侧的气体供给系统(5)，用于将反应气体分别供给到相应的沉积工位上的基片的表面；部分地设置在所述沉积室(3)中以便对相应的沉积工位进行加热的加热装置(7)；以及设置在所述沉积室(3)另一侧的用于激发等离子体的回路(10)；其特征在于，所述等离子体增强化学气相沉积系统(1)还包括对所述用于激发等离子体的回路(10)进行温度控制的温度控制装置(17)。根据本实用新型，能够改善在基片上沉积的薄膜的特性。 |
