一种3DNAND存储单元模组、存储器以及制作方法
基本信息
| 申请号 | CN201910560500.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110277396B | 公开（公告）日 | 2019-09-24 |
| 申请公布号 | CN110277396B | 申请公布日 | 2019-09-24 |
| 分类号 | H01L27/11529(2017.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 焦圣杰 | 申请（专利权）人 | 英特尔半导体（大连）有限公司 |
| 代理机构 | 北京永新同创知识产权代理有限公司 | 代理人 | 英特尔半导体（大连）有限公司;英特尔公司 |
| 地址 | 116000辽宁省大连市经济技术开发区淮河东路 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 提供一种3D NAND存储单元模组。该存储单元模组包括：堆叠结构，所述堆叠结构包括交错布置的绝缘材料层与导电材料层；沟道层，所述沟道层沿着垂直于所述堆叠结构的方向延伸贯穿所述绝缘材料层和所述导电材料层；以及半导体插塞，所述半导体插塞位于所述沟道层的端部，所述半导体插塞包括与所述沟道层相接触的导电加强结构，用于提高所述沟道层的电子迁移率。 |
