用于存储器的沟道柱及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN201910531021.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110176459B | 公开（公告）日 | 2020-07-03 |
| 申请公布号 | CN110176459B | 申请公布日 | 2020-07-03 |
| 分类号 | H01L27/11556;H01L27/11582;H01L27/1159;H01L27/11597;H01L27/22;H01L27/24 | 分类 | - |
| 发明人 | 焦圣杰 | 申请（专利权）人 | 英特尔半导体（大连）有限公司 |
| 代理机构 | 北京永新同创知识产权代理有限公司 | 代理人 | 英特尔半导体（大连）有限公司;英特尔公司 |
| 地址 | 116000 辽宁省大连市经济技术开发区淮河东路 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本公开提供了一种用于存储器的沟道柱及其制造方法。根据本公开的一方面，一种用于形成存储器中的沟道柱的方法包括：提供沟道柱结构，其中，所述沟道柱结构包括环绕中空区域的沟道区；在所述沟道柱结构的所述中空区域中填入电介质材料；以及在预定温度下对所述沟道柱结构进行退火操作，其中，在所述退火操作后，所述电介质材料扩展以将压缩应力施加至所述沟道区。上述技术方案解决了存储器中的低串电流问题，改善了存储器件性能。 |
