增强半导体蚀刻能力的方法
基本信息
| 申请号 | CN201910567610.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110265290B | 公开（公告）日 | 2019-09-20 |
| 申请公布号 | CN110265290B | 申请公布日 | 2019-09-20 |
| 分类号 | H01L21/027(2006.01)I | 分类 | - |
| 发明人 | 杨登亮;焦圣杰 | 申请（专利权）人 | 英特尔半导体（大连）有限公司 |
| 代理机构 | 北京永新同创知识产权代理有限公司 | 代理人 | 英特尔半导体（大连）有限公司;英特尔公司 |
| 地址 | 116000辽宁省大连市经济技术开发区淮河东路 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种用于增强半导体图案蚀刻能力的方法，包括：在半导体核心结构上沉积掩模层，其中该核心结构包括半导体衬底以及位于该半导体衬底之上的待形成图案的半导体堆叠层，其中所述掩模层沉积在所述堆叠层之上；通过离子注入在所述掩模层内掺杂离子，其中所述离子用于在蚀刻过程中钝化所述掩模层上形成的图案开孔的侧壁以提高垂直方向上的蚀刻选择性。 |
