离子注入方法
基本信息
| 申请号 | CN201810236707.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN108447781A | 公开（公告）日 | 2018-08-24 |
| 申请公布号 | CN108447781A | 申请公布日 | 2018-08-24 |
| 分类号 | H01L21/266 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 王克丞 | 申请（专利权）人 | 上海奥简微电子科技有限公司 |
| 代理机构 | 上海汉声知识产权代理有限公司 | 代理人 | 上海奥简微电子科技有限公司;深圳奥简科技有限公司 |
| 地址 | 201601 上海市松江区泗泾镇高技路655号3幢706室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种离子注入方法，包括：步骤1，在衬底上形成N阱与P阱；步骤2，在衬底的P阱区域或非N阱区域上设置第一掩膜，在N阱区域上设置第二掩膜；步骤3，进行离子注入。与现有技术相比，本发明具有以下优点：除了在P阱场氧化层底下形成沟道阻断的作用外，也可以注入在N阱区、或遮挡P阱某些特定区域的P场注入、也就是P场注入不再局限于所有P阱范围，而是可以在芯片中任意需要的位置区域来产生所要的器件。本发明在同样的工序下，让P场注入不仅只提供沟道阻断的功能，还能形成多种非制式器件，发挥现有制程的更大效益，丰富芯片的效能。 |
