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一种半导体晶圆批量刻蚀装置

基本信息

申请号 CN201810493709.8 申请日 -
公开（公告）号 CN108649005B 公开（公告）日 2018-10-12
申请公布号 CN108649005B 申请公布日 2018-10-12
分类号 H01L21/67(2006.01)I;H01J37/32(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 徐亚琴;李保振 申请（专利权）人 中国农业银行股份有限公司枣庄峄城支行
代理机构 - 代理人 -
地址 277300山东省枣庄市峄城经济开发区科达西路
法律状态 -

摘要

摘要 本发明涉及半导体工艺技术领域，具体涉及一种半导体晶圆批量刻蚀装置，刻蚀装置包括反应腔、晶圆固定装置、气体注入口、激励线圈、旋转装置、离子加速器和加热装置。反应腔上设置有进气口、出气口和真空泵，真空泵与出气口相连接；晶圆固定装置位于反应腔内部；气体注入口设置在反应腔顶部；激励线圈环绕反应腔设置，激励线圈用于将刻蚀气体激发成等离子体；旋转装置与晶圆固定装置相连，旋转装置用于带动晶圆绕反应腔轴线旋转；离子加速器固定在反应腔内壁上方，离子加速器作用在于对电离后的氯离子加速，使氯离子撞击晶圆；加热装置位于反应腔外部，加热装置用于对晶圆的加热。本装置适用于大批量的晶圆的刻蚀，有利于提高生产率。