电子轰击离子源及其控制方法
基本信息
| 申请号 | CN202111389864.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114156159A | 公开（公告）日 | 2022-03-08 |
| 申请公布号 | CN114156159A | 申请公布日 | 2022-03-08 |
| 分类号 | H01J49/14（2006.01）I;H01J49/02（2006.01）I;H01J49/06（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 杨天祥;段炼;马乔;刘立鹏;韩双来 | 申请（专利权）人 | 杭州谱育科技发展有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 311305浙江省杭州市临安区青山湖街道科技大道2466-1号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了电子轰击离子源及其控制方法，所述电子轰击离子源包括电子源和电离室；第一偏转电极用于偏转所述电离室内的离子束，第一法拉第杯检测器分别设置在所述电离室的轴心上侧；第二偏转电极用于所述电离室内的偏转离子束，第二法拉第杯检测器分别设置在所述电离室的轴心下侧；计算单元用于根据所述第一法拉第杯检测器和第二法拉第杯检测器的输出得出离子束和所述轴心间的偏差；控制单元用于根据所述偏差去调整第一偏转电极和/或第二偏转电极，使得离子束沿着所述轴心传输。本发明具有离子传输效率高等优点。 |
