肖特基二极管的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201210141590.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN102655091A | 公开（公告）日 | 2012-09-05 |
| 申请公布号 | CN102655091A | 申请公布日 | 2012-09-05 |
| 分类号 | H01L21/329(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 冯永浩 | 申请（专利权）人 | 广州晟和微电子有限公司 |
| 代理机构 | 北京路浩知识产权代理有限公司 | 代理人 | 广州晟和微电子有限公司 |
| 地址 | 510380 广东省广州市荔湾区花地大道中83号金昊大厦1408 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种肖特基二极管的制备方法，涉及电子元器件制备技术领域，所述方法包括以下步骤：S1：在硅衬底上表面沉积多晶硅层；S2：进行预设时间的高温处理和退火处理，以实现在所述硅衬底和多晶硅层之间形成类外延层；S3：去除表面的多晶硅层。本发明的制备方法替代了传统的高成本的外延工艺，大大降低了制作肖特基二极管的成本，并简化了制备步骤。 |
