一种双衬底气化芯片
基本信息
| 申请号 | CN202121707983.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN215798500U | 公开（公告）日 | 2022-02-11 |
| 申请公布号 | CN215798500U | 申请公布日 | 2022-02-11 |
| 分类号 | B81B1/00（2006.01）I;A61M11/00（2006.01）I | 分类 | 微观结构技术〔7〕; |
| 发明人 | 王敏锐;俞挺 | 申请（专利权）人 | 美满芯盛（杭州）微电子有限公司 |
| 代理机构 | 苏州瑞光知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 罗磊 |
| 地址 | 311231浙江省杭州市萧山区经济技术开发区桥南春晖路1号-8（自主分割） | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开了一种双衬底气化芯片，包括：基础衬底和硅衬底，基础衬底上设置有自顶面向内凹陷形成的空腔，待气化液体设置在空腔内，空腔的底面上设置有液态源通道，基础衬底的顶面上设置有接触电极板，硅衬底底部设置有加热电极板，加热电极板通过键合金属层与接触电极板电连接，硅衬底上设置有第一气化通道结构，第一气化通道结构包括阵列排布的若干个第一气化通道单元，第一气化通道单元连通至空腔。本实用新型相较于现有技术，将陶瓷衬底或玻璃衬底与硅衬底组合形成双衬底结构，气化芯片上气化孔的孔径均匀，将气化芯片的加热区域和外围固定结构进行热隔离，降低热导，提升电加热气化效率。 |
