一种具有多孔热隔离结构的硅气化芯片
基本信息
| 申请号 | CN202121692043.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN215798499U | 公开（公告）日 | 2022-02-11 |
| 申请公布号 | CN215798499U | 申请公布日 | 2022-02-11 |
| 分类号 | B81B1/00（2006.01）I;A61M11/00（2006.01）I | 分类 | 微观结构技术〔7〕; |
| 发明人 | 王敏锐;俞挺 | 申请（专利权）人 | 美满芯盛（杭州）微电子有限公司 |
| 代理机构 | 苏州瑞光知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 罗磊 |
| 地址 | 311231浙江省杭州市萧山区经济技术开发区桥南春晖路1号-8（自主分割） | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开了一种具有多孔热隔离结构的硅气化芯片，包括：硅衬底和电极板，电极板设置在硅衬底表面，电极板呈环形结构，电极板内侧的硅衬底上设置有环状气化通道结构，环状气化通道结构包括若干个第一条形气化通道单元，电极板一相对侧的硅衬底上设置有弧形气化通道结构，弧形气化通道结构设置在电极板外侧，弧形气化通道结构包括若干个第二条形气化通道单元，硅衬底边缘与弧形气化通道结构之间的硅衬底上设置有阵列排布的若干个热隔断孔。本实用新型相较于现有技术，采用硅衬底的芯片能均匀、快速、节能地对液体进行电加热气化，多孔隔热结构减少传递到非有效工作区域的热量，提升硅气化芯片的热场均匀性，并且降低功耗。 |
