快闪存储器的编程方法
基本信息
| 申请号 | CN202010954474.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112201286B | 公开（公告）日 | 2021-06-18 |
| 申请公布号 | CN112201286B | 申请公布日 | 2021-06-18 |
| 分类号 | G11C11/34;G11C16/02 | 分类 | 信息存储; |
| 发明人 | 聂虹;陈精纬 | 申请（专利权）人 | 中天弘宇集成电路有限责任公司 |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 施婷婷 |
| 地址 | 201203 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区盛夏路61弄张润大厦1号2层201、202室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种快闪存储器的编程方法，包括：提供一具有浮栅的闪存结构，将闪存结构的源极浮空；在漏极及衬底分别施加电压，形成电场，产生电子空穴对，形成一次电子，其中，施加于衬底的电压小于施加于漏极的电压；在预设时间内，空穴在电场作用下向下做加速度运动并撞击闪存结构中的衬底，产生二次电子；在栅极及衬底分别施加电压，施加于衬底的电压小于施加于栅极的电压，使二次电子在垂直方向电场作用下形成三次电子注入浮栅中，完成编程操作。本发明通过编程电压操作方式的改进优化，形成三次电子激发进行编程，可以提高编程效率，降低功耗，编程读取电流大，对隧穿氧化层损伤小；同时能避免本体贯通效应，为闪存进一步微缩创造条件。 |
