NAND闪存编程方法
基本信息
| 申请号 | CN202010955900.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112201295B | 公开（公告）日 | 2021-09-17 |
| 申请公布号 | CN112201295B | 申请公布日 | 2021-09-17 |
| 分类号 | G11C16/20（2006.01）I;G11C16/34（2006.01）I | 分类 | 信息存储; |
| 发明人 | 聂虹;陈精纬 | 申请（专利权）人 | 中天弘宇集成电路有限责任公司 |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 施婷婷 |
| 地址 | 201203上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区盛夏路61弄张润大厦1号2层201、202室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种NAND闪存编程方法，包括：提供一NAND闪存阵列，将待编程的存储单元初始化；于待编程的存储单元的漏极上施加漏极电压，将待编程的存储单元的源极浮空；于待编程的存储单元的栅极上施加编程电压，保持第一时间段后将待编程的存储单元的各端电压泄放，完成编程；其中，待编程的存储单元的漏极及衬底的电压差不小于4V，第一时间段不大于100μs，编程电压不大于10V。本发明的NAND闪存编程方法初始化后，施加漏极电压并对源极做浮空处理，然后施加编程电压完成编程，编程时的栅极电压远小于现有的隧穿（F‑N）编程方式的栅极电压，且编程时间短，可有效提高存储单元的使用寿命及编程效率，同时降低功耗。 |
