B4快闪存储器的编程方法
基本信息
| 申请号 | CN202011269500.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112382327B | 公开（公告）日 | 2021-07-23 |
| 申请公布号 | CN112382327B | 申请公布日 | 2021-07-23 |
| 分类号 | G11C16/04（2006.01）I;G11C16/10（2006.01）I | 分类 | 信息存储; |
| 发明人 | 聂虹;陈精纬 | 申请（专利权）人 | 中天弘宇集成电路有限责任公司 |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 施婷婷 |
| 地址 | 201203上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区盛夏路61弄张润大厦1号2层201、202室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种B4快闪存储器的编程方法，包括：将P型沟道闪存器件的源极浮空；在P型沟道闪存器件的栅极、漏极及衬底分别施加电压，空穴注入衬底，电子聚集在漏极形成一次电子；在漏极和衬底分别施加电压，漏极和衬底之间形成电场，空穴在电场作用下向下做加速度运动并撞击P型沟道闪存器件中的衬底，产生二次电子；在P型沟道闪存器件的栅极及衬底分别施加电压，使二次电子在垂直方向电场作用下形成三次电子并与一次电子叠加注入浮栅中，完成编程操作。本发明通过编程电压操作方式的改进优化，形成三次电子激发及带间隧穿两种方式的累加进行编程，可以有效提高编程效率；同时能避免本体贯通效应，为闪存进一步微缩创造条件。 |
