NOR闪存电路及数据写入方法
基本信息
| 申请号 | CN202010986623.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112201291B | 公开（公告）日 | 2021-08-17 |
| 申请公布号 | CN112201291B | 申请公布日 | 2021-08-17 |
| 分类号 | G11C16/08;G11C16/14;G11C16/24;G11C16/26 | 分类 | 信息存储; |
| 发明人 | 聂虹;赵岳 | 申请（专利权）人 | 中天弘宇集成电路有限责任公司 |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 施婷婷 |
| 地址 | 201203 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区盛夏路61弄张润大厦1号2层201、202室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种NOR闪存电路及数据写入、读取、擦除方法，包括：NOR存储阵列，源端电压选择单元，阱电压选择单元，字线选通单元，位线选通单元，数据读出单元及模拟电压产生单元。数据写入时将源极浮空，阱电极接地；待写入数据的存储单元所在位线施加第一正向电压、字线施加第二正向电压。数据读取时将源极接地，阱电极接地；待读取数据的存储单元的字线施加第三正向电压、位线选通并输出数据。数据擦除时源极及阱电极接第五正向电压；待擦除数据的存储单元所在位线浮空、字线施加负向电压。本发明通过操作步骤的改进优化，可降低存储单元的有效沟道长度，进而缩减存储器面积，同时提高效率、降低功耗。 |
