3D NAND闪存编程方法
基本信息
| 申请号 | CN202011050195.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112365913B | 公开（公告）日 | 2021-09-03 |
| 申请公布号 | CN112365913B | 申请公布日 | 2021-09-03 |
| 分类号 | G11C16/10;G11C16/12;G11C16/16;G11C16/34 | 分类 | 信息存储; |
| 发明人 | 聂虹;陈精纬 | 申请（专利权）人 | 中天弘宇集成电路有限责任公司 |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 施婷婷 |
| 地址 | 201203 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区盛夏路61弄张润大厦1号2层201、202室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种3DNAND闪存编程方法，包括：S1)提供3DNAND闪存阵列，清除残余电荷；S2)选通上部子存储模块所在位线；S3)于待编程的存储单元的漏极上施加漏极电压，并将源极浮空；S4)于待编程的存储单元的栅极上施加编程电压，完成编程；S5)完成上部子存储模块的编程后，在上部子存储模块保持编程状态的情况下，选通下部子存储模块所在位线重复步骤S3)及步骤S4)以实现对下部子存储模块的编程。本发明的3DNAND闪存编程方法基于三次电子碰撞原理完成编程，编程时的栅极电压远小于现有的隧穿(F‑N)编程方式的栅极电压，且编程时间短，可有效降低功耗并避免相邻存储单元之间的干扰，提高编程效率。 |
