一种键合补偿方法及装置、芯片再布线方法、键合结构
基本信息
| 申请号 | CN202210586382.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114678282A | 公开（公告）日 | 2022-06-28 |
| 申请公布号 | CN114678282A | 申请公布日 | 2022-06-28 |
| 分类号 | H01L21/60（2006.01）I;H01L21/68（2006.01）I;H01L23/498（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 田应超;刘天建;宋林杰;王逸群;任小宁 | 申请（专利权）人 | 湖北江城实验室 |
| 代理机构 | 北京派特恩知识产权代理有限公司 | 代理人 | - |
| 地址 | 430000湖北省武汉市东湖新技术开发区高新四路18号新芯生产线厂房及配套设施2幢OS6号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请实施例提供一种键合补偿方法及装置、芯片再布线方法、键合结构。所述补偿方法包括：提供至少一个晶圆，所述晶圆上键合有多个芯片；根据所述晶圆上各个所述芯片的实际键合位置和预定键合位置，确定各个所述芯片的目标位置；其中，各个所述芯片的所述目标位置与所述预定键合位置之间的偏移参数相同；针对所述晶圆上的每个所述芯片：根据所述实际键合位置和所述目标位置，确定所述芯片上待形成的至少一层第一再布线层的设置位置；其中，所述至少一层第一再布线层中的顶层第一再布线层的设置位置与所述目标位置相同。 |
