自适应仿生神经元电路及仿生神经元自适应模拟方法
基本信息
| 申请号 | CN202210418444.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114648108A | 公开（公告）日 | 2022-06-21 |
| 申请公布号 | CN114648108A | 申请公布日 | 2022-06-21 |
| 分类号 | G06N3/063（2006.01）I;G11C11/54（2006.01）I;G11C17/16（2006.01）I | 分类 | 计算；推算；计数; |
| 发明人 | 杨蕊;高森;缪向水 | 申请（专利权）人 | 湖北江城实验室 |
| 代理机构 | 华中科技大学专利中心 | 代理人 | - |
| 地址 | 430074湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种基于忆阻器的自适应仿生神经元电路及利用该电路实现仿生神经元自适应模拟地方法，激励脉冲和电容C1形成第一充电回路；易失性忆阻器M1、恒定电压源V1以及电容C1构成第一反向充电回路；易失性忆阻器M1、恒定电压源V1以及电容C2构成第二反向充电回路；易失性忆阻器M2、恒定电压源V2以及电容C2构成第二充电回路。利用电容充电行为使得易失性忆阻器发生阈值转变行为，加以恒定电压源的持续输出，实现神经元产生动作电位的基本功能，在激励脉冲的工作过程中，易失性忆阻器的阈值电压逐渐发生变化，实现了在恒定激励下与生物神经元相似的多模式动作电位发放以及放电频率的变化，即实现神经元自适应能力。 |
