一种激光器结构
基本信息
| 申请号 | CN201811571087.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111355128A | 公开（公告）日 | 2020-06-30 |
| 申请公布号 | CN111355128A | 申请公布日 | 2020-06-30 |
| 分类号 | H01S5/187(2006.01)I;H01S5/323(2006.01)I | 分类 | - |
| 发明人 | 李全杰;刘向英 | 申请（专利权）人 | 西安智盛锐芯半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | 西安嘉思特知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 西安智盛锐芯半导体科技有限公司 |
| 地址 | 710075陕西省西安市高新区高新路36号A1号楼二层A19室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种激光器结构，该结构自下而上依次包括：衬底层；第一分布式布拉格反射镜层；第一n型Ge层；第二n型Ge层；第一p型Ge层；第二p型Ge层；第二分布式布拉格反射镜层。本发明的激光器结构采用GaAs/AIAs超晶格材料作为高折射率材料层、采用AIAs材料作为低折射率材料层，形成的分布式布拉格反射镜，代替传统的FB谐振腔，使得加工简单、激光的单色性更好，而且可以降低工艺难度，也不容易脱落。 |
