一种GaAs/AIAs/AIAs布拉格反射镜激光器
基本信息
| 申请号 | CN201811570737.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111355125A | 公开（公告）日 | 2020-06-30 |
| 申请公布号 | CN111355125A | 申请公布日 | 2020-06-30 |
| 分类号 | H01S5/125(2006.01)I;H01S5/34(2006.01)I | 分类 | - |
| 发明人 | 李全杰;刘向英 | 申请（专利权）人 | 西安智盛锐芯半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | 西安嘉思特知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 西安智盛锐芯半导体科技有限公司 |
| 地址 | 710075陕西省西安市高新区高新路36号A1号楼二层A19室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种GaAs/AIAs/AIAs布拉格反射镜激光器，其结构自下而上依次包括：衬底层；第一分布式布拉格反射镜层；n型Ge半导体层；n型Ge掺杂层；量子阱发光层；电子阻挡层；p型Ge掺杂层；p型Ge半导体层；第二分布式布拉格反射镜层；本发明的激光器采用GaAs/AIAs超晶格材料作为高折射率材料层、采用AIAs材料作为低折射率材料层，形成的分布式布拉格反射镜，代替传统的FB谐振腔，使得加工简单、激光的单色性更好，而且可以降低工艺难度，也不容易脱落；且通过在量子阱发光层依次层叠第一电子阻挡层和第二电子阻挡层能够有效阻止多于的电子从量子阱发光层跃迁至p型Ge半导体层，改善激光器的发光效率。 |
