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基于SiC的多色LED芯片的制备方法

基本信息

申请号 CN201711383271.X 申请日 -
公开（公告）号 CN108133982B 公开（公告）日 2021-12-10
申请公布号 CN108133982B 申请公布日 2021-12-10
分类号 H01L33/00 分类 基本电气元件;
发明人 尹晓雪 申请（专利权）人 西安智盛锐芯半导体科技有限公司
代理机构 广州市红荔专利代理有限公司 代理人 吴伟文
地址 224300 江苏省盐城市射阳县经济开发区福建路东侧北三环南侧
法律状态 -

摘要

摘要 本发明涉及一种基于SiC的多色LED芯片的制备方法，该方法包括：（a）选取衬底；（b）在所述衬底上生长蓝光灯芯材料；（c）在所述蓝光灯芯材料上形成红光灯芯槽；（d）在所述红光灯芯槽内生长红光灯芯材料；（e）在所述蓝光灯芯材料上形成绿光灯芯槽；（f）在所述绿光灯芯槽内生长绿光灯芯材料；（g）在所述蓝光灯芯材料上形成黄光灯芯槽；（h）在所述黄光灯芯槽内生长黄光灯芯材料；（i）制作电极并划片以形成所述多色LED芯片。本发明提供一种基于SiC的多色LED芯片的制备方法，工艺简单，采用该方法制备的多色LED芯片其集成度高、成本低、色温调节灵活、体积小。