一种吸气剂图形化的掩膜方式
基本信息
| 申请号 | CN202011498950.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112614779A | 公开（公告）日 | 2021-04-06 |
| 申请公布号 | CN112614779A | 申请公布日 | 2021-04-06 |
| 分类号 | H01L21/308(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 于莎莎 | 申请（专利权）人 | 苏州厚朴传感科技有限公司 |
| 代理机构 | 苏州国卓知识产权代理有限公司 | 代理人 | 刘静宇 |
| 地址 | 215000江苏省苏州市苏州工业园区娄阳路6号中新科技工业坊三期2-1-B、2-2-B | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种吸气剂图形化的掩膜方式，所述该方式包括如下具体步骤：步骤一、材料准备；步骤二、取带吸气剂图形的掩膜片；步骤三、在掩膜片表面放置8英寸的硅片，放置硅片时，将硅片表面的凸起嵌入掩膜片表面的凹槽内，使硅片表面凸起与掩膜片表面凹槽对应，利用掩膜片表面凹槽，不仅可以限制掩膜片与硅片的相对位置关系，而且能使掩膜片与硅片更加贴合；步骤四、平铺放置薄膜保护层；步骤五、放置铝制压块；步骤六、在铝制压块表面放置强力磁铁；步骤七、放置铝制压块盖板。该掩膜方式，操作简单，利用掩膜片表面的凹槽，配合铝制压块以及强力磁铁，不仅可以限制掩膜片与硅片的相对位置关系，而且还能使掩膜片与硅片更加贴合，防止镀制的吸气剂衍出。 |
