一种适用于IGBT驱动芯片的过热保护电路
基本信息
| 申请号 | CN201711270749.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN108107344B | 公开（公告）日 | 2018-06-01 |
| 申请公布号 | CN108107344B | 申请公布日 | 2018-06-01 |
| 分类号 | G01R31/28(2006.01)I;H02H5/04(2006.01)I | 分类 | - |
| 发明人 | 童乔凌 | 申请（专利权）人 | 武汉英弗耐斯电子科技有限公司 |
| 代理机构 | 武汉东喻专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 武汉英弗耐斯电子科技有限公司;上海力感电子科技有限公司 |
| 地址 | 430073湖北省武汉市光谷软件园A9栋401室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明属于集成电路设计技术领域，公开了一种适用于IGBT驱动芯片的过热保护电路，包括温度检测电路、信号整形电路和迟滞阈值控制电路；温度检测电路用于检测IGBT驱动芯片温度，信号整形电路的输入端与温度检测电路的输出端相连，迟滞阈值控制电路的输入端与信号整形电路的输出端相连，信号整形电路的输出端还作为该过热保护电路与IGBT驱动芯片开启/关断控制端相连的接口；温度检测电路的输入端与迟滞阈值控制电路的输出端相连；本发明提供的这种过热保护电路，采用纯CMOS电路设计，能够与标准CMOS工艺兼容，并能够精确地检测IGBT驱动芯片的结温，当IGBT驱动芯片的结温超出阈值时生成一个逻辑信号控制IGBT驱动芯片关断，从而保护IGBT驱动芯片防止其因为过热而失效。 |
