多晶硅锭及其制造方法、太阳能电池

基本信息

申请号 CN201210017967.1 申请日 -
公开(公告)号 CN102797036B 公开(公告)日 2016-06-15
申请公布号 CN102797036B 申请公布日 2016-06-15
分类号 C30B28/06(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I;H01L31/0368(2006.01)I 分类 晶体生长〔3〕;
发明人 郑志东;翟蕊;石郧熙;李娟;彭春球;刘文涛 申请(专利权)人 浙江昱辉节能技术有限公司
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人 浙江昱辉阳光能源有限公司
地址 314117 浙江省嘉兴市嘉善县姚庄镇工业园区
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种多晶硅锭的制造方法,包括:在多晶硅锭生长炉内的容器底部铺设籽晶,形成籽晶层;将固态的硅原料装载到籽晶层的上方;对所述容器进行加热,熔化所述硅原料和部分所述籽晶层,形成液体层,至少保持与容器底部接触的部分籽晶层为固态;控制多晶硅锭生长炉内的热场,对液体层进行结晶形成结晶层,以使固液界面向远离所述容器底部的方向移动;固液界面向远离所述容器底部的方向移动相应距离后,进入回熔结晶过程,至少执行一次所述回熔结晶过程后,得到多晶硅锭。采用本发明的方法生产出的多晶硅锭杂质含量低,生产出的太阳能电池成本低、衰减系数低,光电转换效率高。