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一种坩埚罩和坩埚系统

基本信息

申请号 CN201110206298.8 申请日 -
公开（公告）号 CN102888651B 公开（公告）日 2015-09-23
申请公布号 CN102888651B 申请公布日 2015-09-23
分类号 C30B28/06(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I 分类 晶体生长〔3〕;
发明人 黄水霞;曾国伟;王伟亮;庞昭 申请（专利权）人 浙江昱辉节能技术有限公司
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人 浙江昱辉阳光能源有限公司
地址 314117 浙江省嘉兴市嘉善县姚庄镇工业园区
法律状态 -

摘要

摘要 本发明实施例公开了一种坩埚罩包括周向封闭的罩壁和设置在所述罩壁的中部的定位凸起。当使用生产多晶硅时，将上述坩埚罩设置在石英坩埚上，从而增加了坩埚的高度，因此可以增加了坩埚的投料量。另外，上述坩埚罩和坩埚为分离式设计，坩埚罩的材质选用氮化硅，而氮化硅是一种重要的结构陶瓷材料，本身具有润滑性，并且耐磨损，抗腐蚀能力强，高温时抗氧化。而且它还能抵抗冷热冲击，在空气中加热到1000℃以上，急剧冷却再急剧加热，也不会碎裂。氮化硅陶瓷还具有抗金属熔融性，并且在保护气氛中能耐1800℃高温，可实现重复利用。本发明实施例还公开了一种具有坩埚罩的坩埚系统。