多晶硅锭及其制造方法、太阳能电池专利查询专利号|摘要-满商公司网

多晶硅锭及其制造方法、太阳能电池

基本信息

申请号	CN201210017945.5	申请日	-
公开（公告）号	CN102797035B	公开（公告）日	2016-02-10
申请公布号	CN102797035B	申请公布日	2016-02-10
分类号	C30B28/06(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I;H01L31/028(2006.01)I	分类	晶体生长〔3〕;
发明人	郑志东;翟蕊;石郧熙;李娟;刘文涛;彭春球	申请（专利权）人	浙江昱辉节能技术有限公司
代理机构	北京集佳知识产权代理有限公司	代理人	逯长明
地址	314117 浙江省嘉兴市嘉善县姚庄镇工业园区
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种多晶硅锭的制造方法，包括：在多晶硅锭生长炉内的容器底部铺设籽晶，形成籽晶层，籽晶层的铺设方式为：由一整块与容器底部大小和形状基本相同的大块单晶籽晶铺设而成，或由多个小块单晶籽晶拼接而成，或由从所述多晶硅锭主体中切割下的块状板坯铺设形成；将固态的硅原料装载到籽晶层的上方；对所述容器进行加热，熔化硅原料和部分籽晶层，形成液体层，至少保持与容器底部接触的部分籽晶层为固态；控制多晶硅锭生长炉内的热场，对液体层进行结晶形成结晶层，以使固液界面向远离所述容器底部的方向移动，完成多晶硅锭的生长。采用本发明的方法生产出的多晶硅锭杂质含量低，生产出的太阳能电池成本低、衰减系数低，光电转换效率高。