一种基于碲化铋异质结的可饱和吸收体及其制备方法和应用

基本信息

申请号 CN202010028390.9 申请日 -
公开(公告)号 CN111193174B 公开(公告)日 2021-07-30
申请公布号 CN111193174B 申请公布日 2021-07-30
分类号 H01S3/098(2006.01)I;H01S3/067(2006.01)I;B82Y20/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 刘捷锋;张家宜;张文静 申请(专利权)人 深圳瀚光科技有限公司
代理机构 广州专才专利代理事务所(普通合伙) 代理人 曾嘉仪
地址 518027广东省深圳市龙华区观澜街道新澜社区观光路1301号银星科技大厦D1001
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供了一种基于碲化铋异质结的可饱和吸收体,包括基底以及设置在所述基底上的碲化铋异质结纳米片,所述碲化铋异质结纳米片的化学通式为Bi2Te3‑MxTe3,其中M为过渡金属和第四主族金属中的至少一种,x为0.5‑1.5,y为1‑3。该碲化铋异质结纳米片具有可饱和吸收特性,对光能产生较快响应,产生的载流子迁移率大,可以高效、均匀、稳定的吸收激光,且制得的可饱和吸收体稳定性好,可用于长时间被动锁模,在被动锁模激光器中具有广泛的应用前景。本发明还提供了一种基于碲化铋异质结纳米片的可饱和吸收体的制备方法和应用。