一种基于MXene/C3N4材料复合结构的光子二极管及其制备方法和应用
基本信息
| 申请号 | CN202010350225.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111624684B | 公开（公告）日 | 2021-09-24 |
| 申请公布号 | CN111624684B | 申请公布日 | 2021-09-24 |
| 分类号 | G02B1/00 | 分类 | 光学; |
| 发明人 | 李金瑛;吴雷明;康建龙 | 申请（专利权）人 | 深圳瀚光科技有限公司 |
| 代理机构 | 广州专才专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 林玲 |
| 地址 | 518027 广东省深圳市龙华区观澜街道新澜社区观光路1301号银星科技大厦D1001 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种基于MXene/C3N4材料复合结构的光子二极管，包括正面Mxene层和反面C3N4层，所述正面Mxene层与反面C3N4层叠加在一起；所述正面Mxene层及反面C3N4层均设置成透光层。本发明基于MXene/C3N4材料复合结构的光子二极管实现对光的非互易性传播，具有结构简单、成本低、可操作性强等优点。本发明还提供了基于MXene/C3N4材料复合结构的光子二极管的制备方法及其在光量子计算领域的应用。 |
