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一种单晶炉漏硅后快速引流装置

基本信息

申请号 CN202011641329.8 申请日 -
公开（公告）号 CN112626610A 公开（公告）日 2021-04-09
申请公布号 CN112626610A 申请公布日 2021-04-09
分类号 C30B15/00;C30B29/06 分类 晶体生长〔3〕;
发明人 马腾飞;汪奇;龙昭钦;宋丽平 申请（专利权）人 四川晶科能源有限公司
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人 刘晓菲
地址 614802 四川省乐山市五通桥区桥沟镇十字街10号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开一种单晶炉漏硅后快速引流装置，包括竖直通道、溢流槽和上盖，竖直通道的顶端与单晶炉炉底连通，竖直通道的底端与溢流槽连通，上盖安装于溢流槽上端面，且溢流槽内为真空腔。本申请公开的单晶炉漏硅后快速引流装置，在单晶炉炉底外围安装溢流槽，排气管道接竖直通道，竖直通道下面接溢流槽，溢流槽与整个炉体连接，当发生漏硅现象时，竖直通道将硅溶液引流至溢流槽，使硅熔液快速流入溢流槽内，不与通有冷却水的不锈钢接触，保证了硅熔液不融穿不锈钢炉底，避免冷却水泄漏瞬间汽化导致的锅炉内部压力迅速增加出现锅炉爆炸的情况，且可从上盖处打开溢流槽，取出里面凝固的硅溶液，再继续安装使用。