一种静态生长单晶金刚石的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202110322264.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113249787A | 公开（公告）日 | 2021-08-13 |
| 申请公布号 | CN113249787A | 申请公布日 | 2021-08-13 |
| 分类号 | C30B29/04;C30B25/00 | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 吕继磊 | 申请（专利权）人 | 湖北碳六科技有限公司 |
| 代理机构 | 宜昌市慧宜专利商标代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 彭娅 |
| 地址 | 443208 湖北省宜昌市五峰民族工业园（枝江市白洋镇） | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及金刚石基底制备技术领域，具体涉及一种静态生长单晶金刚石的制备方法，将籽晶放置入腔体中，在腔体首先通入氢气充满腔体，产生等离子体；通入含碳气源进行金刚石的生长，金刚石生长过程中间断的通入含碳气源作为补充，保证腔体维持一定的压力，籽晶生长，完成制备。本发明采用氢气整体充满腔体，即氢气作为金刚石反应的催化剂，在腔体内是一定的，甲烷是补充的，甲烷的利用率达到100%。节约成本，合成质量大大提高，以往动态过程中会混入气体杂质，导致纯度不够，现在可以完全避免气体杂质的引入。 |
