一种提高MPCVD制备单晶金刚石稳定性的方法
基本信息
| 申请号 | CN201810163115.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN108360064B | 公开（公告）日 | 2020-12-29 |
| 申请公布号 | CN108360064B | 申请公布日 | 2020-12-29 |
| 分类号 | C30B29/04;C30B25/20;C30B30/00 | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 武迪;陈贞君;郑大平;朱瑞;肖景阳 | 申请（专利权）人 | 湖北碳六科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京金智普华知识产权代理有限公司 | 代理人 | 杨采良 |
| 地址 | 443400湖北省宜昌市五峰民族工业园（枝江市白洋镇） | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种提高MPCVD制备单晶金刚石稳定性的方法，其特征在于利用液态金属的流动性和高热导率的特性提高单晶金刚石籽晶温度散热稳定性，从而提高单晶金刚石生产稳定性。具体实施方案为：在耐高温金属样品台上放置单晶金刚石籽晶的位置开一个略小于单晶金刚石长宽尺寸的小槽，滴入适量的液态金属直至铺满小槽，将单晶金刚石籽晶放置在小槽上盖住液态金属，确保单晶金刚石籽晶与液态金属接触面积至少大于单晶金刚石籽晶的1/2。 |
