激光增强等离子体CVD制备单晶金刚石装置及其方法
基本信息
| 申请号 | CN201810159834.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN108251892B | 公开（公告）日 | 2021-03-23 |
| 申请公布号 | CN108251892B | 申请公布日 | 2021-03-23 |
| 分类号 | C30B29/04(2006.01)I;C23C16/27(2006.01)I;C30B25/00(2006.01)I;C23C16/48(2006.01)I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 武迪;陈贞君;郑大平;朱瑞;肖景阳 | 申请（专利权）人 | 湖北碳六科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京金智普华知识产权代理有限公司 | 代理人 | 杨采良 |
| 地址 | 443400湖北省宜昌市五峰民族工业园（枝江市白洋镇） | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种激光增强等离子体CVD制备单晶金刚石装置及其方法，所述装置包括等离子体CVD设备和激光设备；所述激光设备多于1个，分别位于所述等离子体CVD设备圆柱腔体外侧，所述激光设备发射的激光能够照射到位于等离子体CVD设备腔体中的基片台；所述基片台位于等离子体CVD设备腔体的中部，基片台下部设有冷却水循环系统，包括冷却水入口和冷却水出口；所述等离子体CVD设备腔体底部设有原料进气口和抽气口。所述方法结合微波能(或电能)和激光两种能量，利用低成本的高能量激光提高金刚石合成过程中等离子体的能量和气体离解速率，从而提高金刚石的合成速率，该方法有效解决了金刚石高速批量制备的难题。 |
