一种拉晶炉P-N型转换过程中杂质元素的控制系统及方法
基本信息
| 申请号 | CN202210079672.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114574964A | 公开（公告）日 | 2022-06-03 |
| 申请公布号 | CN114574964A | 申请公布日 | 2022-06-03 |
| 分类号 | C30B29/06;C30B15/00;C30B15/20 | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 王忠保;马成;芮阳 | 申请（专利权）人 | 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | 杭州融方专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 沈相权 |
| 地址 | 311201 浙江省杭州市钱塘新区东垦路888号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种拉晶炉P‑N型转换过程中杂质元素的控制系统及方法，本发明涉及单晶硅制备技术领域。该拉晶炉P‑N型转换过程中杂质元素的控制系统及方法，通过除杂质组件的设置，当充气腔与液面保持齐平停止后，当连杆通过滑块以及滑槽的配合向下移动的同时、将对应的复位弹簧进行拉伸，当通过驱动气缸的运行，带动其端部固定安装的拉晶硅棒向上拉动的同时，液面会随着晶体的生长进行下降，同时若干个与液面接触的吸附棒会通过液面的下降以及复位弹簧的配合进行缓慢下降的同时、缓慢与液面进行分离，直至液面的杂质吸附至吸附棒的端部向下堆积，保证了杂质的吸附效果，提升了晶体的生长质量。 |
