一种负显影光刻工艺的全芯片快速仿真方法、负显影光刻胶模型、OPC模型及电子设备
基本信息
| 申请号 | 202011153654X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112257270A | 公开（公告）日 | 2021-01-22 |
| 申请公布号 | CN112257270A | 申请公布日 | 2021-01-22 |
| 分类号 | G06F30/20(2020.01)I; | 分类 | 计算；推算；计数; |
| 发明人 | 高世嘉;谢理 | 申请（专利权）人 | 东方晶源微电子科技（北京）有限公司深圳分公司 |
| 代理机构 | 深圳市智享知识产权代理有限公司 | 代理人 | 罗芬梅 |
| 地址 | 518000广东省深圳市福田区福保街道福田保税区英达利科技数码园C座301F室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 发明涉及集成电路光刻技术领域，尤其涉及一种负显影光刻工艺的全芯片快速仿真方法、负显影光刻胶模型、OPC模型及电子设备。一种负显影光刻工艺的全芯片快速仿真方法，基于弹性力学对光刻胶的形变进行分析，设定应力、应变之一者作为光刻胶形变量的等效以获得等效方程，选用泰勒展开式对所述等效方程进行近似计算以获得应力或者应变的近似值，根据所述近似值对光场分布进行调整以获得合适的酸浓度分布，使得曝光图形和目标图形最接近，能很好的对热收缩效应过程中光刻胶的形变进行分析，提高光刻计算过程中的准确性，同时，采用泰勒展开式对热收缩效应进行拟合，提高计算速度，因此，解决了全芯片负向显影光刻工艺计算复杂的问题。 |
