一种负显影光刻工艺的仿真方法、负显影光刻胶模型、OPC模型及电子设备
基本信息
| 申请号 | CN202011306691.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112363372A | 公开（公告）日 | 2021-02-12 |
| 申请公布号 | CN112363372A | 申请公布日 | 2021-02-12 |
| 分类号 | G03F7/20(2006.01)I; | 分类 | 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术〔4〕; |
| 发明人 | 谢理;高世嘉 | 申请（专利权）人 | 东方晶源微电子科技（北京）有限公司深圳分公司 |
| 代理机构 | 深圳市智享知识产权代理有限公司 | 代理人 | 罗芬梅 |
| 地址 | 518000广东省深圳市福田区福保街道福田保税区英达利科技数码园C座301F室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 发明涉及集成电路光刻技术领域，尤其涉及一种负显影光刻工艺的仿真方法、负显影光刻胶模型、OPC模型及电子设备，包括步骤：S1、将光刻胶区域进行有限元划分以获得多个晶格单元；S2、基于弹性力学对一晶格单元进行应力分析，生成单元刚度矩阵，获得整体刚度矩阵；S3、获得关于一晶格单元的等效节点力，获得整体节点力矩阵；S4、对整体刚度矩阵以及整体节点力矩阵进行求解，求出关于光刻胶区域的整体节点位移；及S5、将整体节点位移转化为光场强度，利用有限元分析方法对选定的光刻胶区域进行分析，同时将光场对光刻胶的作用等效为作用力的形式，能很好的对热收缩效应过程中光刻胶的形变进行分析，提高光刻计算过程中的准确性。 |
