一种双重图形掩模优化结果的跨接缺陷检测方法及电子设备
基本信息
| 申请号 | CN202011241787.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112348797A | 公开（公告）日 | 2021-02-09 |
| 申请公布号 | CN112348797A | 申请公布日 | 2021-02-09 |
| 分类号 | G06T7/00(2017.01)I;G06T7/32(2017.01)I | 分类 | 计算；推算；计数; |
| 发明人 | 吴士侠;方伟;丁明;施伟杰 | 申请（专利权）人 | 东方晶源微电子科技（北京）有限公司深圳分公司 |
| 代理机构 | 深圳市智享知识产权代理有限公司 | 代理人 | 罗芬梅 |
| 地址 | 518000广东省深圳市福田区福保街道福田保税区英达利科技数码园C座301F室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及集成电路制造技术领域，尤其涉及双重图形掩模优化结果的跨接缺陷检测方法及电子设备，包括步骤：S1、提供掩模版图，掩模版图包括第一层掩模图形和第二层掩模图形；S2、获得第一层线段和第二层线段，在所述第一层线段上放置检测点；S3、设定配对规则，根据形成边型配对以及角型配对；及S4、设定第一搜索范围和第二搜索范围，搜索第一曝光图形和/或第二曝光图形，基于搜索结果计算跨接距离，根据不同的配对类型设置曝光图形的搜索范围，使得计算获得的跨接距离能准确的表征第一层掩模图形和第二层掩模图形的跨接缺陷，以更好的提高光刻制造的良率。 |
