一种耐压亚阈值CMOS基准源电路
基本信息
| 申请号 | CN201910499414.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110096091B | 公开（公告）日 | 2021-09-21 |
| 申请公布号 | CN110096091B | 申请公布日 | 2021-09-21 |
| 分类号 | G05F1/575（2006.01）I | 分类 | 控制；调节; |
| 发明人 | 崔冰;徐灵炎;沈磊;赵凯;刘跃智;俞剑 | 申请（专利权）人 | 上海复旦微电子集团股份有限公司 |
| 代理机构 | 上海元好知识产权代理有限公司 | 代理人 | 张妍;张静洁 |
| 地址 | 200433上海市杨浦区邯郸路220号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种耐压亚阈值CMOS基准源电路，包含启动电路，主体电路和升压电路，启动电路用于保证主体电路的正常开启，所述的主体电路用于产生基准电压vbg，升压电路用于将基准电压vbg升高到基准参考电压vref。通过在电源电压vdd和基准电压vbg之间增加多层晶体管，提高了亚阈值CMOS基准源的耐压性，同时提高了亚阈值CMOS基准源的精度及电源电压抑制比。 |
