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一种超高速数据接口ESD防护芯片及其制造方法

基本信息

申请号	CN201810066545.0	申请日	-
公开（公告）号	CN108461489A	公开（公告）日	2018-08-28
申请公布号	CN108461489A	申请公布日	2018-08-28
分类号	H01L27/02;H01L21/822	分类	基本电气元件;
发明人	薛维平	申请（专利权）人	上海芯石半导体股份有限公司
代理机构	-	代理人	-
地址	201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区祖冲之路1077号2幢1152-B室
法律状态	-

摘要

本申请涉及一种超高速数据接口SED芯片及其制造方法。大数据时代，各种高速接口应运而生，目前主流的USB3.0，HDMI2.0，以及未来的USB4.0，HDMI3.0，用以满足天量数据传输，导致对超高速接口的ESD防护提出更高要求，防护芯片的电容要求更低，封装尺寸要求更小，Ipp要求更大，然而芯片尺寸和Ipp是正比关系，目前市面上用双层外延加沟槽工艺，制造的芯片电容值在0.5pF左右，此发明采用超高阻1000Ω.cm的P型单晶衬底，通过叠加串联整流管，可以降低结电容至0.15pF以下，老工艺用到了14次光刻，此发明只用了7次光刻，两个电极均从正面引出，特别适合倒装封装，芯片无需减薄到150um以下，只需减薄到200um，降低了碎片率，省去了外延和沟槽这种复杂难控的工艺，省去了背面金属工艺，更重要的是提升了芯片的有效尺寸，同样的封装Ipp更大了。