一种发光二极管的封装结构
基本信息
| 申请号 | CN201920378124.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN209544388U | 公开（公告）日 | 2019-10-25 |
| 申请公布号 | CN209544388U | 申请公布日 | 2019-10-25 |
| 分类号 | H01L33/48（2010.01）I; H01L33/60（2010.01）I; H01L33/58（2010.01）I; H01L33/64（2010.01）I; H01L33/62（2010.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 关世瑛 | 申请（专利权）人 | 上海芯石半导体股份有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 201210 上海市浦东新区自由贸易试验区祖冲之路1077号2幢1152-B室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开了一种发光二极管的封装结构，包括基体，所述基体的内部设置有空腔，所述空腔的内部分别依次设置有阴极柱和阳极柱，所述阳极柱的顶端设置有晶片，所述阴极柱的底端设置有阴极引脚，所述阳极柱的底端设置有阳极引脚，所述空腔内部的底端设置有反射板，所述空腔内部的顶端设置有透镜，所述空腔底面的顶部设置有导热条，所述导热条的一侧与导热板一连接，所述导热条的另一侧与导热板二连接，所述基体的一侧设置有凹槽一，所述凹槽一的内部设置有散热片一，所述基体的另一侧设置有凹槽二，所述凹槽二的内部设置有散热片二。有益效果：能够提高发光二极管的发光强度，并且能够对发光二极管进行充分散热，提高其使用寿命。 |
