一种双向NPN穿通型超低压TVS结构
基本信息
| 申请号 | CN201721513791.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN207381399U | 公开（公告）日 | 2018-05-18 |
| 申请公布号 | CN207381399U | 申请公布日 | 2018-05-18 |
| 分类号 | H01L27/02;H01L27/08;H01L21/8222 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 薛维平 | 申请（专利权）人 | 上海芯石半导体股份有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区祖冲之路1077号2幢1152-B室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 随着半导体IC制造工艺最小线宽的不断降低，半导体IC的工作电压也变得越来越低，工作电压从最初的5V降低到3.3V，再从3.3V降低到2.5V，这就需要作为过压保护的TVS击穿电压也要相应的降低，以便更好地保护半导体IC，当二极管TVS击穿电压低于5V后，齐纳击穿的隧道效应会导致击穿曲线软化，漏电增大至1E‑5A的水平，漏电增大会导致功耗增大，发热量增大等等一系列问题，此实用新型的双向NPN穿通型TVS既能做到击穿电压低于5V，同时又能保证优秀的击穿曲线，且漏电低至1E‑9A的水平。 |
