一种单向NPN穿通型超低压TVS结构及其制备方法专利查询专利号|摘要-满商公司网

一种单向NPN穿通型超低压TVS结构及其制备方法

基本信息

申请号	CN201810473559.4	申请日	-
公开（公告）号	CN108899312A	公开（公告）日	2018-11-27
申请公布号	CN108899312A	申请公布日	2018-11-27
分类号	H01L27/02;H01L21/822	分类	基本电气元件;
发明人	薛维平;关世瑛;王金秋	申请（专利权）人	上海芯石半导体股份有限公司
代理机构	-	代理人	-
地址	201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区祖冲之路1077号2幢1152-B室
法律状态	-

摘要

此发明为一种单向NPN穿通型超低压TVS结构及其制备方法，此TVS适用于保护超低驱动电压的半导体IC，随着半导体IC制造工艺最小线宽的不断缩小，半导体IC的驱动电压也变得越来越低，驱动电压从12V降低到5V，再到3.3V、2.5V，这就需要作为过压保护的TVS击穿电压也要相应降低，以便更好地保护半导体IC，当普通二极管TVS击穿电压低于5V后，齐纳击穿逐步代替雪崩击穿成为主要击穿形式，齐纳击穿的隧道效应导致漏电增大至1E‑5A水平，此时的二极管已经不能胜任IC过压保护工作，此发明的单向NPN穿通型TVS利用NPN晶体管的基区穿通特性，通过控制NPN晶体管基区的浓度及厚度，既能做到击穿电压低于5V，同时又能保证漏电低至1E‑9A水平，完全胜任超低压IC的过压保护工作。