一种具有复合沟槽结构的碳化硅肖特基器件及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN201811560544.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109509795A | 公开（公告）日 | 2019-03-22 |
| 申请公布号 | CN109509795A | 申请公布日 | 2019-03-22 |
| 分类号 | H01L29/872（2006.01）I; H01L21/329（2006.01）I; H01L29/40（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 关世瑛; 王金秋 | 申请（专利权）人 | 上海芯石半导体股份有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 201203 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区祖冲之路1077号2幢1152-B室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种具有复合沟槽结构的碳化硅肖特基器件；该器件具有复合结构的沟槽，沟槽的顶部有P型掺杂区，沟槽侧壁有绝缘层区，沟槽底部有P型掺杂区，沟槽底部P型掺杂区是由2个或多个掺杂的错位叠加刻蚀的沟槽底角构成，较传统沟槽型JBS肖特基器件，更容易实现深的、窄的、底角曲率半径大的沟槽，优化器件性能；另外，本发明的碳化硅肖特基器件的制程，与传统的沟槽型JBS肖特基器件的制程兼容，容易实现。 |
