一种高灵敏度霍尔传感器及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN202010865346.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112038485A | 公开（公告）日 | 2020-12-04 |
| 申请公布号 | CN112038485A | 申请公布日 | 2020-12-04 |
| 分类号 | H01L43/06;H01L43/04;H01L43/14;G01D5/14 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 顾南雁;胡慧雄;李龙;赵成政;郑哲 | 申请（专利权）人 | 东莞市金誉半导体有限公司 |
| 代理机构 | 深圳峰诚志合知识产权代理有限公司 | 代理人 | 东莞市金誉半导体有限公司 |
| 地址 | 523000 广东省东莞市石排镇庙边王村兴龙七路与东园大道交汇处 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明属于霍尔传感器技术领域，涉及一种高灵敏度霍尔传感器及其制造方法，该霍尔传感器包括衬底、有源层、隔离层和四个电极层；有源层设置于衬底上，隔离层和四个电极层均设置于有源层上，且所有电极层分散设置于隔离层的外围；隔离层包括层叠设置的第一层和第二层，第一层设置于有源层和第二层之间；第一层掺杂有第一离子，第二层掺杂有第二离子，且第一离子的注入能量大于第二离子的注入能量，第一离子的注入剂量小于第二离子的注入剂量。该高灵敏度霍尔传感器及其制造方法提供的技术方案能够保证霍尔传感器的等效内阻不会增大，以提升该霍尔传感器的灵敏度。总之，该霍尔传感器具有结构简单、稳定性高、灵敏度高的特点。 |
