一种射频功率放大器的封装结构
基本信息
| 申请号 | CN201420027769.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN203707104U | 公开（公告）日 | 2014-07-09 |
| 申请公布号 | CN203707104U | 申请公布日 | 2014-07-09 |
| 分类号 | H01L23/367(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 王云辉;王定军;喻德财 | 申请（专利权）人 | 重庆中科战储电子有限公司 |
| 代理机构 | 云南派特律师事务所 | 代理人 | 龚笋根 |
| 地址 | 408000 重庆市沙坪坝区西永微电子工业园区软件研发楼3楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型涉及射频功率散热领域，尤其涉及一种射频功率放大器的封装结构，采用的技术方案：包括从上至下依次设置的功放管、PCB板及导热基座，所述的功放管、PCB板及导热基座通过回流焊连接在一起，并封装在绝缘层内。所述功放模块还包括至少4只引脚，该引脚在功放管一则一字排开。所述引脚包括信号输入端和信号输出端。本实用新型能够明显缩小射频功率放大器模块的尺寸,简化加工工序,同时极大地降低模块的整体成本。 |
