MTJ单元及STT-MRAM
基本信息
| 申请号 | CN201710115591.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN108511602A | 公开（公告）日 | 2021-07-13 |
| 申请公布号 | CN108511602A | 申请公布日 | 2021-07-13 |
| 分类号 | H01L43/08;H01L27/22;G11C11/16 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 简红;蒋信 | 申请（专利权）人 | 浙江海康安源环保科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 赵囡囡;吴贵明 |
| 地址 | 311121 浙江省杭州市余杭区文一西路1500号1幢311室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请提供了一种MTJ单元及STT‑MRAM。该MTJ单元包括参考层、双势垒结构与自由层，参考层的材料包括铁磁材料和非磁金属材料；双势垒结构设置在参考层的表面上，且双势垒结构包括第一绝缘层、量子阱层和第二绝缘层，第一绝缘层的材料的禁带宽度为η1，量子阱层的材料的禁带宽度为η2，第二绝缘层的材料的禁带宽度为η3，η2＜η1，η2＜η3，当双势垒结构两端的电压达到预定值时，入射双势垒结构的电子与量子阱层中的量子阱态能级发生共振，入射电子通过共振隧穿通过双势垒结构；自由层设置在第二绝缘层的远离量子阱层的表面上，自由层的材料包括铁磁材料和非磁金属材料。该MTJ应用在存储器中，使得其写入效率较高。 |
