垂直磁化的MTJ器件
基本信息
| 申请号 | CN201811008579.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110867511B | 公开（公告）日 | 2021-09-21 |
| 申请公布号 | CN110867511B | 申请公布日 | 2021-09-21 |
| 分类号 | H01L43/08（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 何世坤;宫俊录 | 申请（专利权）人 | 浙江海康安源环保科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京兰亭信通知识产权代理有限公司 | 代理人 | 赵永刚 |
| 地址 | 311121 浙江省杭州市余杭区文一西路1500号1幢311 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种垂直磁化的MTJ器件，包括：依次叠置的热稳定增强层、自由层、隧道层以及固定层，其中，所述自由层的厚度与MTJ器件直径的比值为0.75～2；所述热稳定增强层具有相变特性，当温度低于相变温度时，所述热稳定增强层为反铁磁相，当温度高于相变温度时，所述热稳定增强层为铁磁相。本发明能够降低基于超小直径MTJ器件的STT‑MRAM的写入电流。 |
