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磁性隧道结的参考层的制备方法、磁性隧道结的制备方法

基本信息

申请号 CN201610898458.2 申请日 -
公开（公告）号 CN107958954B 公开（公告）日 2021-07-13
申请公布号 CN107958954B 申请公布日 2021-07-13
分类号 H01L43/12;H01L43/08 分类 基本电气元件;
发明人 刘鲁萍;简红;蒋信 申请（专利权）人 浙江海康安源环保科技有限公司
代理机构 北京康信知识产权代理有限责任公司 代理人 赵囡囡;梁文惠
地址 311121 浙江省杭州市余杭区文一西路1500号1幢311
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供了一种磁性隧道结的参考层的制备方法、磁性隧道结的制备方法。该磁性隧道结的参考层的制备方法包括采用沉积工艺设置参考层的各膜层，采用等离子体处理各膜层中的一层或多层，以及对等离子体处理后的各膜层中的一层或多层进行退火处理。利用退火处理对等离子体处理之后的一层或多层膜层进行原位热处理，进而减少或者消除等离子体处理可能造成的损伤或缺陷，改善参考层的表面特性，进而提高具有该参考层的磁性隧道结的综合性能，比如提高磁性隧道结的TMR值，降低其RA值。