一种提高氮化硅陶瓷基板材料热导率和力学性能的硅热还原方法
基本信息
| 申请号 | CN202011043054.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112142476A | 公开（公告）日 | 2020-12-29 |
| 申请公布号 | CN112142476A | 申请公布日 | 2020-12-29 |
| 分类号 | C04B35/584(2006.01)I | 分类 | 水泥；混凝土；人造石；陶瓷；耐火材料〔4〕; |
| 发明人 | 曾宇平;王为得;左开慧;夏咏锋;姚冬旭;尹金伟;梁汉琴 | 申请（专利权）人 | 上海上硅中试基地科技有限公司 |
| 代理机构 | 上海瀚桥专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所;上海硅酸盐研究所中试基地 |
| 地址 | 200050上海市长宁区定西路1295号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种提高氮化硅陶瓷基板材料热导率和力学性能的硅热还原方法，包括：（1）将氮化硅粉、烧结助剂和硅粉混合，得到混合粉体，所述硅粉为单质Si，含量为氮化硅粉质量的0.1～5wt%；（2）将所得混合粉体压制成型，得到氮化硅陶瓷素坯；（3）将所得氮化硅陶瓷素坯置于真空气氛或氩气气氛中、1000～1400℃下进行预烧结处理，得到氮化硅坯体；（4）将所得预烧结处理后的氮化硅坯体于1800～2000℃下进行烧结处理，得到所述氮化硅陶瓷基板材料。 |
